近日，原子能院核安全研究所项目团队针对强辐射场环境智能装备应用，成功研制出国内首款MGy（兆戈瑞）级抗辐射三线译码器芯片，是宇航级芯片抗辐射总剂量1kGy的1000倍，达到了国内领先、国际先进水平，满足了强辐射场环境工作的智能装备对该功能芯片的抗辐射加固需求，同时也为其他功能芯片的抗辐射加固奠定了研究基础，提高了核工业智能装备和系统在强辐射环境下的可靠性和安全性。

 抗辐射三线译码器芯片可满足地面核设施强辐射场景对自动控制、传感器、智能装备和信息化系统的耐辐射需求。研制期间，项目团队选用180nm CMOS（互补金属氧化物半导体）商业标准工艺，通过晶体管级抗辐射加固研究，突破了MGy级抗总剂量辐射的数字芯片加固技术。针对显示控制、内存解码、电气自动化等应用需求，完成了三线译码桥接芯片设计、版图加固、流片、封装和测试的全流程技术开发，总剂量辐照测试表明其抗总剂量辐射性能达到1.17MGy。芯片在耐辐照性能测试环节采用了更科学可靠的在线测试方法，不仅在测试中始终处于工作状态，在经受1.17 MGy的在线总剂量辐照后，仍可以正常工作。

抗辐射三线译码器芯片

该项目隶属原子能院长期基础研究专项。面对抗辐射加固需求，项目团队未来将努力开发更多MGy级抗辐射总剂量的数字和模拟芯片，为“智慧核工业”的进一步实现贡献力量。